Toshiba MG50N2YS1 Transistor Module

Toshiba MG50N2YS1 Transistor Module Ürün Bilgisi

Toshiba MG50N2YS1, 1100 V kolektör-emiter gerilimine sahip güç transistör modülüdür; elektrotları soğutucu tabandan izoledir. Motor sürücüleri ve invertörlerin güç katlarında, özellikle eski cihazların onarımında yedek parça olarak kullanılır.

Sipariş vermeden önce model kodunu ve teknik değerleri kullanacağınız cihazın etiketiyle karşılaştırmanızı öneririz.

Teknik Özellikler

Electrodes are isolated from the heat sink (25oov AC).
High DC current Gain (h) (80 or 100 MIN).
Low saturation voltage (2 or 2.5V maximum).
Wide safe operating area.

MAXIMUM RATINGS (Tj = 25°C, unless otherwise noted)
VCES Collector-Emitter Voltage 1100V
VGES Gate-Emitter voltage:±20V
±lc Collector Current Tc= 25°C 50A
±ICP Collector Current (Peak) TC= 25°C 100A
PC Collector Dissipation TC= 25°C 350W
Tj Junction Temperature -20~+100°C
Tstg Storage Temperature -40~+125°C
Viso Isolation Voltage 60Hz, Sinusoidal, Charged part to Base, AC 1 min. 2500V
Mounting screw torque 2.0~3.0 N·m

Sipariş ve Teslimat

Siparişleriniz en geç 2 iş günü içinde kargoya verilir; 15.000 TL ve üzeri alışverişlerde kargo ücretsizdir. Fiyat ve stok bilgisi için WhatsApp hattımızdan bize yazabilirsiniz.